Koreański gigant przedstawił najmniejsze 8-gigabitowe (Gb) układy pamięci RAM typu DDR4, których stworzenie możliwe było dzięki wykorzystaniu drugiej generacji 10 nm litografii.
Nowe pamięci Samsunga mają być o 10% wydajniejsze (3600 Mb/s na pin) i 15% bardziej energooszczędne od poprzedniej generacji, która zadebiutowała w 2016 roku. Producent nie podał konkretnej wartości litografii, więc nowe pamięci korzystają z określenia pamięci klasy 10 nm, a to prawdopodobnie oznacza, że proces technologiczny wynosi od 10 do 19 nm.
Najważniejsze są jednak osiągi i jak zapowiada Samsung, nowe pamięci DRAM są o 30% bardziej produktywne niż poprzednia generacja. Stosowany jest tutaj bardziej efektywny system wykrywania błędów, dzięki któremu możliwe jest dokładniejsze określenie tego, co przechowywane jest w każdej komórce.
Zdradzono również, że wykorzystany jest tutaj unikalny dystansownik, który niweluje tzw. pojemność pasożytniczą, która wywoływana jest przez bliskość poszczególnych elementów obwodu co niekorzystnie wpływa na ich pole elektryczne.
W planach producenta jest przeniesienie produkcji na 8 nm z wykorzystaniem praktycznie tych samych technologii. Kolejnym krokiem jest stworzenie pamięci opartych na 7 nm litografii, co będzie bardzo wymagające.
Źródło: Samsung