Tym samym Samsung stał się pierwszym producentem tego typu pamięci na rynku, a wyprzedził swoich konkurentów, czyli SK Hynix oraz Micron. Z kości tych trzech koncernów, to właśnie 16-gigabitowe (Gb) koreańskiego giganta mają być najszybsze oferując dwukrotnie większą pojemność niż 20 nm pamięci GDDR5 tego producenta.
Samsung chwali się użyciem procesu technologicznego 10 nm i uzyskaniem prędkości na poziomie 18 Gbps na pin oraz przepustowości 72 GBps. Dla porównania pamięci GDDR6 Micron mają oferować prędkość między 12 a 16 Gbps, a SK Hynix 16 Gbps.
Zastosowanie procesu litograficznego klasy 10 nm ma pozwolić Samsungowi na zwiększenie przepustowość pamięci GDDR6 nawet on 30%. Nowe pamięci są o 35% bardziej energooszczędne i działają przy napięciu 1,35 V, a nie 1,55 V jak w przypadku GDDR5.
Pamięci GDDR6 znajdą swoje zastosowanie w wydajnych kartach graficznych, branży motoryzacyjnej czy systemach opartych na sztucznej inteligencji.
Źródło: Samsung