TA STRONA UŻYWA COOKIE. Usługodawca oraz jego zaufani partnerzy korzystają z plików cookies i innych technologii automatycznego przechowywania danych do celów statystycznych, reklamowych oraz realizacji usług, w tym również aby wyświetlać użytkownikom najbardziej dopasowane oferty i reklamy.
Usługodawca i jego zaufani partnerzy wymagają zgody użytkownika na gromadzenie danych w celu obsługi spersonalizowanych treści i ogłoszeń. Jeśli korzystasz ze strony instalki.pl bez zmiany ustawień przeglądarki, to oznacza to, że nie wyrażasz sprzeciwu co do otrzymywania wszystkich plików cookies na swoje urządzenie ze strony instalki.pl.
Dowiedz się więcej o celu ich używania i zmianie ustawień cookie w przeglądarce.
Od dnia 25.05.2018 r. na terenie Unii Europejskiej wchodzi w życie Rozporządzenie Parlamentu Europejskiego w sprawie ochrony danych osobowych. Prosimy o zapoznanie się z regulaminem oraz polityką prywatności serwisu  [X]
Instalki.pl » Aktualności » Hardware » Nowe pamięci DRAM to rewolucja! Komputery uruchomią się natychmiastowo
Czwartek, 16 Styczeń 2020 12:21, Wpisany przez Maksym Słomski
nowe DRAM lancaster
Zdumiewające odkrycie.

Jesteśmy świadkami przełomu w świecie pamięci. Obecnie na włączenie komputera lub jego wybudzenie ze stanu uśpienia należy czekać co najmniej kilka sekund, a często proces ten trwa znacznie dłużej. Co byście powiedzieli na połączenie zalet pamięci RAM (prędkość) i NAND (przechowywanie danych po wyłączeniu komputera), z których zrodziłaby się nowa pamięć DRAM pozwalająca włączać komputery dosłownie w mgnieniu oka? Właśnie stworzono prototyp takiej pamięci.

Zapis danych do pamięci DRAM jest szybki i energooszczędny, ale natychmiast po wyłączeniu znikają także zapisane w tej pamięci dane. Dane takie trzeba po każdym uruchomieniu ładować do pamięci, co nie jest z punktu widzenia wydajności zjawiskiem pożądanym. Z drugiej strony, pamięć NAND jest stosunkowo solidnym magazynem danych, ale zapis i usuwanie danych są powolnymi operacjami, które niszczą przy okazji komórki - te czynniki wykluczają stosowanie pamięci NAND jako pamięci roboczej.

Naukowcy z Uniwersytetu w Lancaster w Wielkiej Brytanii donoszą, że stworzyli prototyp nowego rodzaju pamięci nieulotnej, która działa z prędkościami DRAM, zużywając jedynie 1% energii zużywanej przez pamięci NAND na zapis danych. Pamięć o nazwie UK III-V Memory stworzono przy wykorzystaniu litografii 20 nm. Czasy zapisu na poziomie 5 ns porównywalny jest z pamięciami RAM, a jej odczyt jest łatwy jak w przypadku pamięci flash. Jej najciekawszą cechą jednak pozostaje to, że dane w niej zapisane pozostają zapisane także po odłączeniu zasilania.

nowe DRAM lancaster prototyp tranzystora UK III-V
Prototyp tranzystora UK III-V. | Źródło: University of Lancaster

Na tę chwilę z prototypowej pamięci można usuwać i zapisywać dane przy napięciu rzędu 2,1 V. W wypadku pamięci NAND wartość ta wynosi 3 V. Tak niska wartość została osiągnięta poprzez "podwójne tunelowe złącze rezonansowe", w którym zastosowano naprzemienne warstwy GaSb (antymonidu galu) i InAs (arsenu indu). Nie wiemy jakie napięcie potrzebne jest to operacji odczytu. Przewodzący projektowi Manus Hayne twierdzi jednak, że nowa pamięć nie będzie musiała odtwarzać danych za każdym razem, gdy odczytuje "1", ani nie będzie musiała ciągle odświeżać ich w celu zapewnienia integralności. Nawet więc jeśli odczyty wymagają większej ilości mocy, taki kompromis jest tego wart.

Lancaster-IIIV-memory-non-volatile
Schemat budowy rewolucyjnych pamięci z Lancaster. | Źródło: University of Lancaster


Podobnie jak pamięci flash, nowa komórka pamięci używa "pływającej bramki" do przechowywania "1" lub "0". Tutaj natomiast pływająca bramka InAs jest izolowana przez dużą nieciągłość pasma przewodzenia z GaSb i AlSb. Mówiąc prościej, tranzystory używane w brytyjskiej pamięci III-V lepiej są w stanie lepiej definiować stany włączenia i wyłączenia. Zostały zaprojektowane tak, aby wykorzystać wzmiankowane materiały, aby mieć pewność, że przechowują te informacje przez wyjątkowo długi czas.

Projekt oczekuje obecnie na opatentowanie. Gdy takie pamięci trafią do sprzedaży, wywrócą one do góry nogami rynek pamięci DRAM i flash, bądźcie tego pewni.

Źródło: Electronics Weekly