Samsung ponownie rewolucjonizuje segment pamięci. Nadchodzą pojemne dyski SSD?

Wojciech OnyśkówSkomentuj
Samsung ponownie rewolucjonizuje segment pamięci. Nadchodzą pojemne dyski SSD?
Nowa pamięć zaprezentowana przez Samsunga ma dwukrotnie większą gęstość w porównaniu do tradycyjnych 128-gigabitowych kości pamięci flash. W pojedynczej kości można zapisać 32 gigabajty danych (256 gigabitów). Dzięki temu nowy moduł umożliwi podwojenie pojemności oferowanych obecnie dysków SSD Samsunga.

Producent podaje, że nowa 256-gigabitowa pamięć flash V-NAND zużywa ponadto o 30% mniej energii w porównaniu ze 128-gigabitową 32-warstwową pamięcią. Sam proces produkcji nowej pamięci jest o około 40% wydajniejszy w porównaniu ze starszą technologią.

Samsung zapowiada, że zamierza produkować pamięci V-NAND trzeciej generacji przez resztę 2015 roku. W ten sposób producent chce spopularyzować dyski półprzewodnikowe (SSD) o pojemności 1 TB i większe.

„Trzecia generacja pamięci flash V‑NAND to obecnie najbardziej zaawansowane rozwiązanie w zakresie technologii pamięciowych, o wyjątkowo wysokiej wydajności i efektywności energetycznej. Wykorzystując w pełni możliwości technologii V‑NAND firmy Samsung, rozszerzamy naszą ofertę podzespołów wysokiej klasy przeznaczonych dla przedsiębiorstw i centrów danych, a także dla użytkowników prywatnych” – powiedział Young-Hyun Jun, szef działu pamięci Samsunga.

Źródło: Samsung

Udostępnij

Wojciech OnyśkówRedaktor w serwisie instalki.pl piszący o nowych technologiach i grach.