Producent podaje, że nowa 256-gigabitowa pamięć flash V-NAND zużywa ponadto o 30% mniej energii w porównaniu ze 128-gigabitową 32-warstwową pamięcią. Sam proces produkcji nowej pamięci jest o około 40% wydajniejszy w porównaniu ze starszą technologią.
Samsung zapowiada, że zamierza produkować pamięci V-NAND trzeciej generacji przez resztę 2015 roku. W ten sposób producent chce spopularyzować dyski półprzewodnikowe (SSD) o pojemności 1 TB i większe.
„Trzecia generacja pamięci flash V‑NAND to obecnie najbardziej zaawansowane rozwiązanie w zakresie technologii pamięciowych, o wyjątkowo wysokiej wydajności i efektywności energetycznej. Wykorzystując w pełni możliwości technologii V‑NAND firmy Samsung, rozszerzamy naszą ofertę podzespołów wysokiej klasy przeznaczonych dla przedsiębiorstw i centrów danych, a także dla użytkowników prywatnych” – powiedział Young-Hyun Jun, szef działu pamięci Samsunga.
Źródło: Samsung